🔺英伟达发布史上最强AI芯片H200，首款使用HBM3e内存！借助HBM3e，英伟达H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的内存，与A100相比，容量几乎是其两倍，带宽增加了2.4倍，HBM3e成为H200的升级的重点。

　　🔺HBM3e供给高度紧张，SK海力士已决定明年大扩产、采用最先进的10nm等级第五代(1b)技术，多数新增产能将用来生产HBM3E，SK 海力士副会长兼联席 CEO 朴正浩表示，HBM芯片出货量预计到 2030 年将达到每年 1 亿颗。

　　🔺设备端：TSV和晶圆级封装需求增长。由于独特的3D堆迭结构，HBM芯片为上游设备带来了新的增量：前道环节，HBM需要通过TSV来进行垂直方向连接，增加了TSV刻蚀设备需求；中段环节，HBM带来了更多的晶圆级封装设备需求；后道环节，HBM的多芯片堆迭带来die bond设备和测试设备需求增长。

　　🔺材料端：HBM的独特性主要体现在堆迭与互联上。对于制造材料：HBM核心之一在于堆迭，HBM3更是实现了12层核心Die的堆迭，多层堆迭对于制造材料尤其是前驱体的用量成倍提升；对于封装材料：HBM将带动TSV和晶圆级封装需求增长，而且对封装高度、散热性能提出更高要求。$香农芯创(SZ300475)$

　　🔺 英伟达 发布史上最强AI芯片H200，首款使用HBM3e内存！借助HBM3e，英伟达H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的内存，与A100相比，容量几乎是其两倍，带宽增加了2.4倍，HBM3e成为H200的升级的重点。🔺HBM3e供给高度紧张，SK海力士已决定明年大扩产、采用最...

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